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3. TECHNICAL BRIEF
3.6. Memory
1Gbit Flash & 512Mbit DDRAM employed on KF600 with 8 & 16 bit parallel data bus thru ADD(0) ~
ADD(24). The 1Gbit Nand Flash memory with DDRAM stacked device family offers multiple high-
performance solutions.
ADD(0:15)
_RAM_CS
DATA(0:7)
1V8_SD
_NAND_CS
SDCLKI
ADD(16)
ADD(17)
R108
0
FCDP
Figure 11 Flash memory & DDR RAM MCP circuit diagram
LGE Internal Use Only
1G NAND +512M DDR SDRAM
ADD(0)
B3
DQ0
ADD(1)
C4
DQ1
C3
ADD(2)
DQ2
ADD(3)
D4
DQ3
ADD(4)
D3
DQ4
ADD(5)
E4
DQ5
ADD(6)
E3
DQ6
ADD(7)
F4
DQ7
ADD(8)
J4
DQ8
ADD(9)
K3
DQ9
K4
ADD(10)
DQ10
ADD(11)
L3
DQ11
ADD(12)
L4
DQ12
M3
ADD(13)
DQ13
ADD(14)
M4
DQ14
ADD(15)
N3
DQ15
TP102
E9
_CS
H4
SDCLKO
CLK
G8
CKE
CKE
F8
_WR
_WED
D7
ADD(29)
BA0
D8
ADD(30)
BA1
E7
_RAS
_RAS
F7
_CAS
_CAS
G3
_BC0
LDQM
H3
_BC1
UDQM
DATA(0)
J5
IO0
DATA(1)
L5
IO1
DATA(2)
J6
IO2
DATA(3)
L6
IO3
DATA(4)
J7
IO4
DATA(5)
L7
IO5
DATA(6)
J8
IO6
DATA(7)
L8
IO7
TP103
C6
_CE
G4
_CK
D5
ALE
C5
CLE
E5
_RD
_RE
E6
TP104
R__B
TP105
D6
_WR
_WE
F5
_WP
C7
A0
C8
A1
C9
A2
B8
A3
M9
A4
L9
A5
K9
A6
J9
A7
H7
A8
H8
A9
D9
A10
H9
A11
G7
A12
B4
VDD1
G9
VDD2
H2
VDD3
M2
VDD4
D2
VDDQ1
F2
VDDQ2
K2
U101
VDDQ3
K5E1G12ACA-D075
C2
VSS1
F9
VSS2
G2
VSS3
N4
VSS4
E2
VSSQ1
J2
VSSQ2
L2
VSSQ3
B6
VCC1
N7
VCC2
N6
VCCQ
B5
VSS5
N5
VSS6
N8
VSS7
F3
LDQS
J3
UDQS
Copyright © 2007 LG Electronics. Inc. All right reserved.
- 40 -
ADD(16:28)
ADD(16)
TP101
ADD(17)
ADD(18)
ADD(19)
ADD(20)
ADD(21)
ADD(22)
ADD(23)
ADD(24)
ADD(25)
ADD(26)
ADD(27)
ADD(28)
1V8_SD
1V8_SD
1V8_SD
C130
C131
C132
0.1u
0.1u
0.1u
LDQS
UDQS
Only for training and service purposes
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